У Центру је развијана нова врста сензора притиска за повишене температуре до 3000С. Нова врста сензора је направљена уз помоћ стандардних планарних технологија и влажног анизотропног хемијског нагризања СОИ (Silicon-On-Insulator) плочица. Овај високотемпературни сензор притиска се заснивао на идеји да пиезоотпорници нису више међусобно, као и од супстрата, изоловани контактним потенцијалом p-n споја, већ диелектриком силицијум диоксидом.
Како постоји значајна потреба за мерењем ниских притисака флуида чија температура може бити врло висока, у Центру је започет развој новог типа високотемпературног сензора апсолутних нижих притиска, који има квадратну профилисану дијафрагму у облику центрираног средишњег ојачања – боса. Пиезоотпорници сензора су међусобно изоловани силицијум диоксидом, као и од супстрата. Овај сензор је направљен на бази SOI плочица, али је примењена maskless техника заснована на влажном хемијском нагризању у воденом растворутетраметил амонијум хидроксида. Maskless техника је примењена да би се добила профилисана дијафрагма са средишњим босом облика правилне зарубљене пирамиде и пиезоотпорници поновљивих димензија. Оваква дијафрагма омогућава добру линеарност одзива код сензора ниских притисака.
