IHTM PLAVI
Универзитет у Београду
Институт за хемију, технологију и металургију
Институт од националног значаја за Републику Србију

grb BUУниверзитет у Београду

МЕМС чип сензора притиска са уграђеном блокадом преоптерећења

У неким применама сензори притиска су изложени непредвиђеним осцилацијама, ударним таласима,  резонантним ефектима који могу услед екстремног повећања притискадалеко изнад номиналне вредности да доведу до уништења сензорске дијафрагме. За пиезоотпорни сензор притиска најефикаснија заштита је она која је уграђена у сам сензор и која је као и сам сензор изведена МЕМС технологијом, а која ограничава прекомерни угиб дијафрагме испод границе пуцања под дејством екстремне промене притиска. У Центру је развијена нова генерација сензора притиска са уграђеном заштитом од преоптерећења у видумикромашински израђеног улошка који се поставља испод дијафрагме и служи као граничникод прекомерног угибања. Под дејством прекомерног притиска, дијафрагма се ослања на горњу површину улошка и на тај начин се спречава лом дијафрагме. Уложак је процесиран МЕМС технолошким поступцима, нагризањем у 30% воденом раствору KOH. Уложак је, као и сам чип сензора притиска,  анодно бондован на подлогу од Pyrex стакла. Зазор који постоји између доње површине дијафрагме и горње површине улошка мора прецизно да се подеси у зависности од конкретног мерног опсега. Коришћењем улошка, дозвољено преоптерећење сензорске дијафрагме је и до неколико стотина пута веће од номиналног мерног опсега.mems cip senzora 1

mems cip senzora

  • Финансиран од ЕУ као западнобалкански центар изврсности за микро и наносистемске технологије Regmina FP7

  • Центар изузетних вредности МПНТР за микро и наносистемске технологије од 2014.

  • Носилац сертификата ISO 9001.

Контакт

centar za mikoelektronske tehnologije

Центар за микроелектронске технологије

Адреса:
Његошева 12
11000 Београд
Лабораторије:
Студенски трг 16/III, Београд
Телефон: +381 11 2638 188
Фаx:+381 11 2182 995
e-mail:
dana@nanosys.ihtm.bg.ac.rs