Истражују се методе побољшања перформанси полупроводничких инфрацрвених фотодетектора за средњу и далеку инфрацрвену (ИЦ) област. Овакви детектори од интереса су за термовизијске примене у електропривреди, наменској индустрији и другде. Разматрани су концепти побољшања специфичне детективности фотодетектора применом плазмонских материјала.

 

 

Пошто су резонантне фреквенције стандардних плазмонских материјала у видљивом или УВ делу, разматране су стратегије пројектовања црвеног помака тако да би радне таласне дужине ушле у инфрацрвену област. Један од разматраних метода је коришћење алтернативних плазмонских материјала (проводни провидни оксиди) чије резонантне фреквенције, зависно од нивоа допираности, улазе у ИЦ област. Додатно, ове честице облажу се диелектриком високе пермитивности (core shell структуре) или у потпуности урањају у њега, а оптимизују се величина честица и међучестично растојање. Друга стратегија била је коришћење тзв designer plasmon структура, где се користи танки плазмонски слој са уређеним низом апертура, при чему се геометрија јединичне ћелије низа може употребити за подешавање таласне дужине "пројектованог" плазмона. Најзад, разматрана је стратегија употребе метаматеријалних суперапсорбера. Показало се да све три стратегије дају добре резултате. Предвиђено је да се користе са нехлађеним жива кадмијум телуридним фотодетекторским чиповима произведеним у Центру.