IHTM PLAVI
Универзитет у Београду
Институт за хемију, технологију и металургију
Институт од националног значаја за Републику Србију

grb BUУниверзитет у Београду

Силицијумске PIN фотодиоде

Производимо PIN фотодиоде на подлогама n- и p-типа, једноелементне и квадрантне, с активним областима од 0.8 mm2 до 80 mm2. Друге величине могу се добити по наруџбини.

sicilijumske pin fotodiode

Фотодиоде n-типа

Наше PIN диоде n-типа оптимизоване су за детекцију блиског инфрацрвеног зрачења на таласној дужини од 900nm. Фотодиода обасјана видљивим или блиским инфрацрвенимм зрачењем понаша се као струјни извор чија је фотоструја сразмерна снази зрачења. Инверзна поларизација повећава паралелну унутрашњу отпорност и смањује капацитивност диоде. Смањење капацитивности и отпора оптерећења RL смањује време одзива. Ниска капацитивност са релативно ниском поларизацијом постижу се коришћењем изузетно чистог силицијум ависоке отпорности за базну I-област диоде (> 2 kWcm). Флукс позадинског зрачења повећава струју шума, због тога се рпепоручују филтри или замрачивање да би се смањило ово зрачење.

    FD08N FD5N 
FD5N1
FD80N
тип   N N N
активна површина (mm2)   0.8 5 80
кућиште   TO-18 TO-5 TO-25
напон напајања (V)   45 45 45
pпробојни напон (V)   100 100 100
струја мрака (nA)
типично 2 20 50
max 20 50 300
осетљивост (A/W) 900 nm типично 0.60 0.60 0.60
900 nm мин. 0.50 0.50 0.50
1060 nm типично 0.15 0.15 0.15
1060 nm мин. 0.10 0.10 0.10
NEP (10-12Hz1/2) 900 nm типично <1 <1.5 5
900 nm макс
5 7 20
1060 nm типично <4  <4 20
1060 nm макс. 20  20 80
капацитет (pF) типично 2.5 8 70
макс 3 10 120
време одзива (ns) 900 nm 3.11) 51) 101)

1) На 50% амплитуде

Снимите pdf верзије каталошких страница за наше диоде n-типа:

Si PIN диода n-типа, активна површина 0.8 mm2
Si PIN диода n-типа, активна површина 5 mm2, стандардне висине или са
 nниским кућиштем
Si PIN диода n-типа, активна површина 80 mm2

Фотодиоде p-типа

Наше PIN диоде p-типа оптимизоване су за детекцију блиског инфрацрвеног зрачења на таласној дужини од 1060 nm. Фотодиода обасјана видљивим или блиским инфрацрвенимм зрачењем понаша се као струјни извор чија је фотоструја сразмерна снази зрачења. Инверзна поларизација повећава паралелну унутрашњу отпорност и смањује капацитивност диоде. Смањење капацитивности и отпора оптерећења RL смањује време одзива. Ниска капацитивност са релативно ниском поларизацијом постижу се коришћењем изузетно чистог силицијум ависоке отпорности за базну I-област диоде (> 10 kWcm). Флукс позадинског зрачења повећава струју шума, због тога се рпепоручују филтри или замрачивање да би се смањило ово зрачење. Утицај ширине прелазне области и утицај преслушавања између квадранта минимализовани су за наше квадрантне PIN диоде.

    FD5P
FD5P1
QDY7P 3) QDY80P 3)
тип   P P P
активна површина (mm2)   5 7 80
кућиште   TO-5 TO-5, 8 TO-25
напон напајања (V)   200 200 200
пробојни напон (V)   250 250 250
струја мрака (nA)
типично 20 10 100
макс 100 50 1000
осетљивост (A/W) 900 nm типично
 0.60 0.60 0.60
900 nm мин.  0.50 0.50 0.50
1060 nm типично  0.45 0.45 0.45
1060 nm мин.  0.40 0.40 0.40
NEP (10-12Hz1/2) 900 nm типично  <1.5 <1.5 5
900 nm макс
10 7 40
1060 nm типично <2.5 <2.5 7
1060 nm макс. 15 12 60
капацитивност (pF) типично 2.5 1.2 7
макс  3 1.4 10
време одзива (ns) 900 nm <112) <112) <201)
 

2) 10% - 90% амплитуде
3) по квадранту

Снимите pdf верзије каталошких страница за наше диоде p-типа:

Si PIN диода p-типа, активна површина 5 mm2стандардне висине или саниским кућиштем
квадрантна Si PIN диода p-типа, активна површина 7 mm2
квадрантна Si PIN диода p-типа, активна површина 80 mm2

  • Финансиран од ЕУ као западнобалкански центар изврсности за микро и наносистемске технологије Regmina FP7

  • Центар изузетних вредности МПНТР за микро и наносистемске технологије од 2014.

  • Носилац сертификата ISO 9001.

Контакт

centar za mikoelektronske tehnologije

Центар за микроелектронске технологије

Адреса:
Његошева 12
11000 Београд
Лабораторије:
Студенски трг 16/III, Београд
Телефон: +381 11 2638 188
Фаx:+381 11 2182 995
e-mail:
dana@nanosys.ihtm.bg.ac.rs