Виши научни сарадник
Адреса:
Центар за микроелектронске технологије, Институт за хемију, технологију и металургију,
Универзитет у Београду, Његошева 12, 11000 Београд
Телефон: 011 2628 587
Факс: 011 6182 995
Електронска пошта: pkrstajic@nanosys.ihtm.bg.ac.rs
Образовање:
2000 дипломирани електроинжењер, Универзитет у Београду, Србија
2006 доктор наука, Универзитет у Антверпену, Белгија
Звања:
2000 Истраживач приправник
2012 Виши научни сарадник
Професионално искуство:
2000 – 2001 Центар за микроелектронске технологије, Институт ѕа хемију, технологију и металургију
2008 – 2010 постдокторска специјализација на Универѕитету Конкордија, Монтреал, Канада
2010 – данас Центар за микроелектронске технологије, Институт ѕа хемију, технологију и металургију
Области интересовања:
• Физика чврстог стања
• Физика полупроводника
• Нискодимензионални полупроводници и плупроводничке наноструктуре
• Плазмонски и наноплазмонски сензори
Цитираност: 245 (144 без аутоцитата) 02.2016; h index = 8
Знање језика: Eнглески
Најзначајнији пројекти:
2011 – 2016 Микро, нано-системи и сензори за примену у електропривреди, процесној индустрији и заштити животне средине (ТР 32008), Министарство просвете, науке и технолошког развоја републике Србије
Изабране публикције:
Публиковани радови:
- Z. Djuric, P. Krstajic, M. Smiljanic and D. Randjelovic, “The Effect of Diffusion on the Impulse Response of
- RCE Detector”, IEEE Phot. Techn. Lett. 13, 620 (2001).
- P. Krstajić and F.M. Peeters, “Magnetotunneling of holes through single and double barriers using a multiband treatment”, Phys. Rev. B 71, 115321 2005
- P. M. Krstajić and P. Vasilopoulos, “Integral quantum Hall effect in graphene: Zero and finite Hall field”, Phys. Rev. B 83, 075427 2011
- P. M. Krstajić and P. Vasilopoulos, “Integer quantum Hall effect in gapped single-layer graphene”, Phys. Rev. B 86, 115432 2012
- P. M. Krstajić, P. Vasilopoulos, and M. Tahir, “Spin- and valley-polarized transport through ferromagnetic and antiferromagnetic barriers on monolayer MoS2”, Physica E 75, 317 2016