Производимо PIN фотодиоде на подлогама n- и p-типа, једноелементне и квадрантне, с активним областима од 0.8 mm2 до 80 mm2. Друге величине могу се добити по наруџбини.
Фотодиоде n-типа
Наше PIN диоде n-типа оптимизоване су за детекцију блиског инфрацрвеног зрачења на таласној дужини од 900nm. Фотодиода обасјана видљивим или блиским инфрацрвенимм зрачењем понаша се као струјни извор чија је фотоструја сразмерна снази зрачења. Инверзна поларизација повећава паралелну унутрашњу отпорност и смањује капацитивност диоде. Смањење капацитивности и отпора оптерећења RL смањује време одзива. Ниска капацитивност са релативно ниском поларизацијом постижу се коришћењем изузетно чистог силицијум ависоке отпорности за базну I-област диоде (> 2 kWcm). Флукс позадинског зрачења повећава струју шума, због тога се рпепоручују филтри или замрачивање да би се смањило ово зрачење.
| FD08N | FD5N FD5N1 |
FD80N | ||
| тип | N | N | N | |
| активна површина (mm2) | 0.8 | 5 | 80 | |
| кућиште | TO-18 | TO-5 | TO-25 | |
| напон напајања (V) | 45 | 45 | 45 | |
| pпробојни напон (V) | 100 | 100 | 100 | |
| струја мрака (nA) |
типично | 2 | 20 | 50 |
| max | 20 | 50 | 300 | |
| осетљивост (A/W) | 900 nm типично | 0.60 | 0.60 | 0.60 |
| 900 nm мин. | 0.50 | 0.50 | 0.50 | |
| 1060 nm типично | 0.15 | 0.15 | 0.15 | |
| 1060 nm мин. | 0.10 | 0.10 | 0.10 | |
| NEP (10-12Hz1/2) | 900 nm типично | <1 | <1.5 | 5 |
| 900 nm макс |
5 | 7 | 20 | |
| 1060 nm типично | <4 | <4 | 20 | |
| 1060 nm макс. | 20 | 20 | 80 | |
| капацитет (pF) | типично | 2.5 | 8 | 70 |
| макс | 3 | 10 | 120 | |
| време одзива (ns) | 900 nm | 3.11) | 51) | 101) |
1) На 50% амплитуде
Снимите pdf верзије каталошких страница за наше диоде n-типа:
Si PIN диода n-типа, активна површина 0.8 mm2
Si PIN диода n-типа, активна површина 5 mm2, стандардне висине или са nниским кућиштем
Si PIN диода n-типа, активна површина 80 mm2
Фотодиоде p-типа
Наше PIN диоде p-типа оптимизоване су за детекцију блиског инфрацрвеног зрачења на таласној дужини од 1060 nm. Фотодиода обасјана видљивим или блиским инфрацрвенимм зрачењем понаша се као струјни извор чија је фотоструја сразмерна снази зрачења. Инверзна поларизација повећава паралелну унутрашњу отпорност и смањује капацитивност диоде. Смањење капацитивности и отпора оптерећења RL смањује време одзива. Ниска капацитивност са релативно ниском поларизацијом постижу се коришћењем изузетно чистог силицијум ависоке отпорности за базну I-област диоде (> 10 kWcm). Флукс позадинског зрачења повећава струју шума, због тога се рпепоручују филтри или замрачивање да би се смањило ово зрачење. Утицај ширине прелазне области и утицај преслушавања између квадранта минимализовани су за наше квадрантне PIN диоде.
| FD5P FD5P1 |
QDY7P 3) | QDY80P 3) | ||
| тип | P | P | P | |
| активна површина (mm2) | 5 | 7 | 80 | |
| кућиште | TO-5 | TO-5, 8 | TO-25 | |
| напон напајања (V) | 200 | 200 | 200 | |
| пробојни напон (V) | 250 | 250 | 250 | |
| струја мрака (nA) |
типично | 20 | 10 | 100 |
| макс | 100 | 50 | 1000 | |
| осетљивост (A/W) | 900 nm типично |
0.60 | 0.60 | 0.60 |
| 900 nm мин. | 0.50 | 0.50 | 0.50 | |
| 1060 nm типично | 0.45 | 0.45 | 0.45 | |
| 1060 nm мин. | 0.40 | 0.40 | 0.40 | |
| NEP (10-12Hz1/2) | 900 nm типично | <1.5 | <1.5 | 5 |
| 900 nm макс |
10 | 7 | 40 | |
| 1060 nm типично | <2.5 | <2.5 | 7 | |
| 1060 nm макс. | 15 | 12 | 60 | |
| капацитивност (pF) | типично | 2.5 | 1.2 | 7 |
| макс | 3 | 1.4 | 10 | |
| време одзива (ns) | 900 nm | <112) | <112) | <201) |
2) 10% - 90% амплитуде
3) по квадранту
Снимите pdf верзије каталошких страница за наше диоде p-типа:
Si PIN диода p-типа, активна површина 5 mm2, стандардне висине или саниским кућиштем
квадрантна Si PIN диода p-типа, активна површина 7 mm2
квадрантна Si PIN диода p-типа, активна површина 80 mm2
