Viši naučni saradnik
Preuzmite biografiju u PDF formatu
Adresa:
Centar za mikroelektronske tehnologije,
Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgiju,
Univerzitet u Beogradu, Njegoševa 12, 11000 Beograd
Telefon: 011 2628 587
Faks: 011 6182 995
Elektronska pošta: pkrstajic@nanosys.ihtm.bg.ac.rs
Obrazovanje:
2000 diplomirani elektroinženjer, Univerzitet u Beogradu, Srbija
2006 doktor nauka, Univerzitet u Antverpenu, Belgija
Zvanja:
2000 Istraživač pripravnik
2012 Viši naučni saradnik
Profesionalno iskustvo:
2000 – 2001 Centar za mikroelektronske tehnologije, Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgiju
2008 – 2010 postdoktorska specijalizacija na Univerzitetu Konkordija, Montreal, Kanada
2010 – danas Centar za mikroelektronske tehnologije, Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgiju
Oblasti interesovanja:
- Fizika čvrstog stanja
- Fizika poluprovodnika
- Niskodimenzionalni poluprovodnici i poluprovodničke nanostrukture
- Plazmonski i nanoplazmonski seznori
Citiranost:
245 (144 bez autocitata) 02.2016; h index = 8
Znanje jezika:
engleski
Najznačajniji projekti:
2011 – 2016 Mikro, nano-sistemi i senzori za primenu u elektroprivredi, procesnoj industriji i zaštiti životne sredine (TR 32008), Ministarstvo prosvete, nauke i tehnološkog razvoja republike Srbije
Izabrane publikacije:
Publikovani radovi:
- Z. Djuric, P. Krstajic, M. Smiljanic and D. Randjelovic, “The Effect of Diffusion on the Impulse Response of
- RCE Detector”, IEEE Phot. Techn. Lett. 13, 620 (2001).
- P. Krstajić and F.M. Peeters, “Magnetotunneling of holes through single and double barriers using a multiband treatment”, Phys. Rev. B 71, 115321 2005
- P. M. Krstajić and P. Vasilopoulos, “Integral quantum Hall effect in graphene: Zero and finite Hall field”, Phys. Rev. B 83, 075427 2011
- P. M. Krstajić and P. Vasilopoulos, “Integer quantum Hall effect in gapped single-layer graphene”, Phys. Rev. B 86, 115432 2012
- P. M. Krstajić, P. Vasilopoulos, and M. Tahir, “Spin- and valley-polarized transport through ferromagnetic and antiferromagnetic barriers on monolayer MoS2”, Physica E 75, 317 2016