Istražuju se metode pobolјšanja performansi poluprovodničkih infracrvenih fotodetektora za srednju i daleku infracrvenu (IC) oblast. Ovakvi detektori od interesa su za termovizijske primene u elektroprivredi, namenskoj industriji i drugde. Razmatrani su koncepti pobolјšanja specifične detektivnosti fotodetektora primenom plazmonskih materijala.

 

 

Pošto su rezonantne frekvencije standardnih plazmonskih materijala u vidlјivom ili UV delu, razmatrane su strategije projektovanja crvenog pomaka tako da bi radne talasne dužine ušle u infracrvenu oblast. Jedan od razmatranih metoda je korišćenje alternativnih plazmonskih materijala (provodni providni oksidi) čije rezonantne frekvencije, zavisno od nivoa dopiranosti, ulaze u IC oblast. Dodatno, ove čestice oblažu se dielektrikom visoke permitivnosti (core shell strukture) ili u potpunosti uranjaju u njega, a optimizuju se veličina čestica i međučestično rastojanje. Druga strategija bila je korišćenje tzv designer plasmon struktura, gde se koristi tanki plazmonski sloj sa uređenim nizom apertura, pri čemu se geometrija jedinične ćelije niza može upotrebiti za podešavanje talasne dužine "projektovanog" plazmona. Najzad, razmatrana je strategija upotrebe metamaterijalnih superapsorbera. Pokazalo se da sve tri strategije daju dobre rezultate. Predviđeno je da se koriste sa nehlađenim živa kadmijum teluridnim fotodetektorskim čipovima proizvedenim u Centru.