Istražuju se silicijumski fotodetektori ultralјubičastog zračenja koji su istovremeno neosetlјivi na vidlјivo i infracrveno zračenje (solar blind). Silicijum je ekonomski najbolјa opcija za materijal detektora, međutim njegov maksimum osetlјivost je u vidlјivom i bliskom delu spektra, gde je i inače Sunčevo zračenje za nekoliko redova veličine jače od UV zračenja. Solar blind detektori su od interesa za gorionike u industrijskim postrojenjima, ali i za zaštitu od štetnog zračenja.

        U okciru Centra razmatrana su dva dizajna UV čipa. Jedan koristi zapreminsko mikromašinstvo u kalijum hidroksidu da formira mikrometarski tanku dijafragmu u SOI (Silicon On Oxide) pločici. Drugi koristi standardne silicijumske pin diode sa plitkim spojem na koje se nanosi fluorescentna boja kao konvertor sa UV na vidlјivo zračenje plus metal-dielektrični filter proizveden u Centru koji odseca vidlјivo i IC zračenje (potiskivanje je 4-6 redova veličine). Ovo drugo rešenje nudi potencijal vrlo jeftinih silicijumskih UV dioda pogodnih za masovnu upotrebu i jednostavnih za izradu.